ВСЕ СПЕЦИАЛИСТЫ
8 (800) 777 01 50 info@prilan.ru
Форма связи

C30BВыращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей 3

Запатентовать ИЗ Запатентовать ПМ Оценить ИЗ, ПМ Аннулировать ИЗ, ПМ
МПК Классификатор МПК
  • Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
    • C30 Выращивание кристаллов
      • C30B Выращивание монокристаллов ; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой ; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ; устройства для вышеуказанных целей 3
КодНаименование
Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния
Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера
Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса
Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
Однонаправленное отвердевание эвтектик
Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью
Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
Однонаправленное разделение эвтектик на составные части
Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий
Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей
Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
Выращивание монокристаллов из гелей
Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов
Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей
Услуги и цены
Патентование

Изобретения, Модели, ПО

Подробнее
Исследования

по ГОСТ, Поиск, Оценка

Подробнее
Регистрация

Товарные знаки, ЭВМ, АП

Подробнее
Суды

ППС, СИП, ФАС, Арбитраж

Подробнее

Классификатор Международной патентной классификации (МПК): Класс C30B

Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей.

Класс МПК Название Примеры Применение
C30B 1/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния Получение кремниевых пластин Использование в электронике и микроэлектронике
C30B 11/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера Выращивание сапфировых кристаллов Применение в оптике и часовой промышленности
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой Получение высокочистых кремниевых кристаллов Полупроводниковая промышленность
C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского Вытягивание кремния для солнечных батарей Производство солнечных панелей
C30B 17/00 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса Выращивание монокристаллов кварца Использование в точных измерительных приборах
C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев Нанесение слоев арсенида галлия Производство светодиодов и лазеров
C30B 21/00 Однонаправленное отвердевание эвтектик Кристаллизация металлических сплавов Использование в литейном производстве
C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала Конденсация алюминия Производство высокочистых металлов
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы Химическое осаждение карбида кремния Производство полупроводников и износостойких покрытий
C30B 27/00 Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью Защитное выращивание рубиновых кристаллов Использование в лазерах и ювелирной промышленности
C30B 28/00 Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой Получение поликристаллического кремния Использование в фотоэлементах
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой Алмазы, искусственно выращенные Применение в ювелирной и промышленной отраслях
C30B 3/00 Однонаправленное разделение эвтектик на составные части Кристаллизация бронзы Производство износостойких материалов
C30B 30/00 Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий Воздействие магнитного поля при выращивании кремниевых кристаллов Улучшение структурных свойств материалов
C30B 31/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей Диффузия примесей в кремниевые пластины Изменение электрических свойств полупроводников
C30B 33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой Резка и полировка кремниевых пластин Подготовка кристаллов для дальнейшего использования в устройствах
C30B 35/00 Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой Аппараты для зонной плавки Использование в полупроводниковой промышленности
C30B 5/00 Выращивание монокристаллов из гелей Получение кристаллов белка Исследования в биохимии и фармацевтике
C30B 7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов Выращивание кристаллов медного купороса Использование в химической промышленности
C30B 9/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей Выращивание сапфировых кристаллов Применение в оптических устройствах и электронике








Приходько Илья Викторович

Приходько Илья Викторович

Эксперт Prilan. ИЗ, ПМ, ПО, ТЗ. Стаж более 15 лет.

Нажимая кнопку «Отправить», я подтверждаю свою дееспособность, и даю согласие на получение информации от Сервиса «Prilan», согласие на обработку персональных данных в соответствии с Политикой конфиденциальности и Пользовательским соглашением.

Благодарим за обращение!

Ваше сообщение отправлено!

Благодарим за обращение в нашу компанию!

Ваша заявка принята. Мы свяжемся с вами в ближайшее время

Эксперты «Prilan»

Консультация и профессиональное
сопровождение
по всем вопросам защиты
интеллектуальной собственности

8 (800) 777 01 50
оказание услуг
предварительный анализ
консультация по телефону

Нажимая кнопку «Отправить», я подтверждаю свою дееспособность, и даю согласие на получение информации от Сервиса «Prilan», согласие на обработку персональных данных в соответствии с Политикой конфиденциальности и Пользовательским соглашением.